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Samsung - DDR4

Samsung - DDR4
Samsung - DDR4
Herst.Nr.:M471A1G43EB1-CPB
Art.Nr.:S17115111
Samsung, DDR4, 8 GB, SO DIMM 260-PIN, 2400 MHz / PC4-19200, CL17, 1.2 V, ungepuffert, nicht-ECC
85,29
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Beschreibung - Samsung - DDR4
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    Technische Daten - Samsung - DDR4

    Allgemein

    Kapazität 8 GB
    Erweiterungstyp Generisch

    Speicher

    Typ DRAM
    Technologie DDR4 SDRAM
    Formfaktor SO DIMM 260-PIN
    Modulhöhe (Zoll) 1.8
    Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200)
    Latenzzeiten CL17 (17-17-17)
    Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC
    Besonderheiten Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, ungepuffert
    Modulkonfiguration 1024 x 64
    Chip-Organisation 512 x 8
    Spannung 1.2 V

    Verschiedenes

    Kennzeichnung RoHS, Bleifrei, halogenfrei
    Alle Preise enthalten die gesetzlich gültige Mehrwertsteuer.
    Ultrabook, Celeron, Celeron Inside, Core Inside, Intel, Intel Logo, Intel Atom, Intel Atom Inside, Intel Core, Intel Inside, Intel Inside Logo, Intel vPro, Itanium, Itanium Inside, Pentium, Pentium Inside, vPro Inside, Xeon, Xeon Phi, und Xeon Inside sind Marken der Intel Corporation in den USA und anderen Ländern.
    Beispielfoto, Lieferinhalt und -umfang können abweichen. Entscheidend für den Warenumfang ist die Produktbeschreibung