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Samsung 850 EVO MZ-N5E250BW - Solid-State-Disk

Samsung 850 EVO MZ-N5E250BW - Solid-State-Disk
Herst.Nr.: MZ-N5E250BW
Art.Nr.: S15082869
Warengruppe: Festplatten /
Hersteller: Samsung
Samsung 850 EVO MZ-N5E250BW, Solid-State-Disk, verschlüsselt, 250 GB, intern, M.2 2280 (M.2 2280), SATA 6Gb/s, Puffer: 512 MB, Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0)
113,58
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Die Lieferung erfolgt innerhalb von 2 Tagen nach Zahlungseingang.
Beschreibung
  • Optimieren Sie die tägliche Arbeit am Computer
  • Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modusauf die Überholspur
  • Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND
  • Sichern Sie Ihre Daten mit der AES 256-Bit-Verschlüsselung
  • Schutz vor Überhitzung mit einer schnell reagierenden, dynamischen Schutzfunktion
  • Steigen Sie auf die 850 EVO um - problemlos
Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

Allgemein

Gerätetyp Solid-State-Disk - intern
Kapazität 250 GB
Hardwareverschlüsselung Ja
NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor M.2 2280 ( M.2 2280 )
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Puffergröße 512 MB
Merkmale Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, DevSleep-Modus, Microsoft eDrive-kompatibel, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite 22.1 mm
Tiefe 80.3 mm
Höhe 1.52 mm

Leistung

Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz 540 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write 89000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF 1,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 ( M.2 2280 )

Stromversorgung

Energieverbrauch 50 mW ( aktiv )
2.4 Watt ( Durchschnitt )
3.7 Watt ( Maximum )
2 mW ( Sleep-Modus )

Software & Systemanforderungen

Software inbegriffen Samsung Magician Software, Samsung Data Migration

Herstellergarantie

Service & Support Begrenzte Garantie - 5 Jahre

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur 0 °C
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Halbsinus-Impuls
Alle Preise enthalten die gesetzlich gültige Mehrwertsteuer.
Ultrabook, Celeron, Celeron Inside, Core Inside, Intel, Intel Logo, Intel Atom, Intel Atom Inside, Intel Core, Intel Inside, Intel Inside Logo, Intel vPro, Itanium, Itanium Inside, Pentium, Pentium Inside, vPro Inside, Xeon, Xeon Phi, und Xeon Inside sind Marken der Intel Corporation in den USA und anderen Ländern.
Beispielfoto, Lieferinhalt und -umfang können abweichen. Entscheidend für den Warenumfang ist die Produktbeschreibung